Metallkern-Leiterplatten

Die Metallkern- oder IMS-Leiterplatte (Insulated Metallic Substrate), ist eine hervorragende Alternative zur Standardleiterplatte, wenn die Leiterplatten großen mechanischen Belastungen ausgesetzt sind, eine hohe Dimensionsstabilität verlangt wird oder hohe Temperaturen von Leistungsbauteilen oder LEDs abgeführt werden müssen.

Metallkern Leiterplatte

Die Hitzeableitung erfolgt mit Hilfe eines Aluminiumkerns in der Leiterplatte und ermöglicht z.B. in der LED-Technik und bei Hochleistungstransistoren höhere Packungsdichte, längere Laufzeiten und größere Ausfallsicherheiten.

Die Integration der Kühleinheit in die Leiterplatte führt auch zu Platzersparnis.

Alukern Leiterplatte Schliffbild

Weitere Einsatzgebiete für diese Technologie sind u.a. Hochstrom-Anwendungen, Power-LEDs, SMD- und Power-Leiterplatten. Die hohe Wärmeleitfähigkeit erlaubt eine schnelle und effektive Ableitung anfallender Wärme.

Verfügbare Typen

Bei Multi-CB können Sie einseitige und zweiseitig-durchkontaktierte Alukern-Leiterplatten beziehen (Lagenaufbau). Die Wärmeleitfähigkeit beträgt je nach Ausführung 1.3 – 2.2 W/m*K! (FR4 hat ca. 0.3 W/m*K).


Technische Optionen - Metallkern-Leiterplatten

1 Lage Metallkern

Option Hinweise
OptionMaterial Aluminium Kern, FR4 AuflageHinweise Datenblätter
OptionMax. Größe 420mm x 570mm Hinweise  
OptionAluminium Dicke 0.8mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mmHinweise  
OptionStart-Kupfer 35µm, 70µm, 140µm (nur 2.0mm)Hinweise  
OptionOberfläche HAL bleifrei, chem. Gold, chem. Zinn Hinweise Oberflächen
OptionRoHS-Konform ja Hinweise  

Design Parameter

Option35µm Cu70µm Cu
OptionMin. Leiterbahnbreite35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin Leiterbahnabstand35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin. Restring35µm Cu125µm70µm Cu200µm
OptionMin. Bohrung (NDK)35µm Cu0.7mm70µm Cu0.7mm
OptionMin. Abstand zw. Bohrungen35µm Cu250µm70µm Cu250µm

Material - 1 Lage Metallkern

Technische EigenschaftenEinheitKL HA50 (type2)TC-Lam 1.3KL (type3)Testmethode
Technische EigenschaftenDatenblattEinheit-KL HA50 (type2)KL HA50TC-Lam 1.3TC-Lam 1.3KL (type3)KL HA50Testmethode -
Technische EigenschaftenAnwendungsgebietEinheit-KL HA50 (type2)StandardTC-Lam 1.3StandardKL (type3)ExtendedTestmethode -
Technische EigenschaftenWärmeleitfähigkeitsfaktorEinheitW / m*kKL HA50 (type2)1.6TC-Lam 1.31.3KL (type3)2.2Testmethode ASTM-D 5470
Technische EigenschaftenDielektrizitätskonstante εrEinheit(bei 1 MHz)KL HA50 (type2)5.3TC-Lam 1.3-KL (type3)5.5Testmethode IEC-61189
Technische EigenschaftenOberflächenwiderstandEinheitKL HA50 (type2)1.0 * 10^6TC-Lam 1.31.0 * 10^7KL (type3)1.0 * 10^6Testmethode IEC-61189
Technische EigenschaftenWärmebeständigkeitEinheitK / WKL HA50 (type2)-TC-Lam 1.30.77KL (type3)-Testmethode ASTM-E 1225
Technische EigenschaftenGlasübergang Dielektrikum (Tg)Einheit°CKL HA50 (type2)122TC-Lam 1.3100KL (type3)122Testmethode IPC-TM150
Technische EigenschaftenDielektrischer Durchschlag (AC)*EinheitkVKL HA50 (type2)4.0 - 6.0TC-Lam 1.35.0KL (type3)4.0 - 6.0Testmethode IPC-TM-650
Technische EigenschaftenCTIEinheitVKL HA50 (type2)600TC-Lam 1.3600KL (type3)600Testmethode UL746A

* Abhängig von Dielektrikumsdicke, im Beispiel 100µm

2 Lagen Metallkern (Durchkontaktiert)

Option Hinweise
OptionMaterial Aluminium Kern, FR4 AuflagenHinweise Datenblätter
OptionMax. Größe 800mm x 800mm Hinweise  
OptionAluminium Dicke 0.8mm, 1.0mm, 1.5mmHinweise Lagernd
Option  1.2mm, 2.0mmHinweise Auf Anfrage
OptionStart-Kupfer 18µm, 35µm, 70µmHinweise  
OptionOberfläche HAL bleifrei, chem. Gold, chem. Zinn Hinweise Oberflächen
OptionRoHS-Konform ja Hinweise  

Design Parameter

Option35µm Cu70µm Cu
OptionMin. Leiterbahnbreite35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin Leiterbahnabstand35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin. Restring35µm Cu125µm70µm Cu200µm
OptionMin. Bohrung (NDK)35µm Cu0.7mm70µm Cu0.7mm
OptionMin. Via(DK)35µm Cu0.3mm70µm Cu0.3mm
OptionMin. Abstand zw. Bohrungen35µm Cu250µm70µm Cu250µm
OptionMin. Abstand zw. Vias (DK)35µm Cu300µm70µm Cu300µm
OptionAspekt Ratio35µm Cu10:170µm Cu10:1

Material - 2 Lagen Metallkern (Durchkontaktiert)

Technische EigenschaftenEinheitCCAF-04CCAF-05Testmethode
Technische EigenschaftenDatenblattEinheit-CCAF-04CCAF-04CCAF-05CCAF-05Testmethode -
Technische EigenschaftenAnwendungsgebietEinheit-CCAF-04StandardCCAF-05ExtendedTestmethode -
Technische EigenschaftenWärmeleitfähigkeitsfaktorEinheitW / m*kCCAF-041.5CCAF-052.2Testmethode ASTM-D 5470
Technische EigenschaftenDielektrizitätskonstante εrEinheit(bei 1 MHz)CCAF-044.2CCAF-054.24Testmethode IEC-61189
Technische EigenschaftenOberflächenwiderstandEinheitCCAF-045.0 * 10^7CCAF-053.68 * 10^7Testmethode IEC-61189
Technische EigenschaftenWärmebeständigkeitEinheitK / WCCAF-040.65CCAF-050.45Testmethode ASTM-E 1225
Technische EigenschaftenGlasübergang Dielektrikum (Tg)Einheit°CCCAF-04-CCAF-05-Testmethode IPC-TM150
Technische EigenschaftenDielektrischer Durchschlag (AC)*EinheitkVCCAF-044.0CCAF-056.0Testmethode IPC-TM-650
Technische EigenschaftenCTIEinheitVCCAF-04600CCAF-05600Testmethode UL746A

* Abhängig von Dielektrikumsdicke, im Beispiel 100µm


Übersicht: Technische Optionen für Spezial-Leiterplatten.

Für eine optimale Vorbereitung empfehlen wir Ihnen eine frühzeitige Kontaktaufnahme mit unseren CAM-Station Ingenieuren. Wir beraten Sie sehr gerne bei Ihrer Entwicklung.

UL-Zertifizierung für Metallkern-Leiterplatten

Bei Multi-CB bekommen Sie auch Metallkern-Leiterplatten mit UL-Zertifikat.