Metallkern-Leiterplatten

Die Metallkern- oder IMS-Leiterplatte (Insulated Metallic Substrate), ist eine hervorragende Alternative zur Standardleiterplatte, wenn die Leiterplatten großen mechanischen Belastungen ausgesetzt sind, eine hohe Dimensionsstabilität verlangt wird oder hohe Temperaturen von Leistungsbauteilen oder LEDs abgeführt werden müssen.

Metallkern Leiterplatte

Die Hitzeableitung erfolgt mit Hilfe eines Aluminiumkerns in der Leiterplatte und ermöglicht z.B. in der LED-Technik und bei Hochleistungstransistoren höhere Packungsdichte, längere Laufzeiten und größere Ausfallsicherheiten.

Die Integration der Kühleinheit in die Leiterplatte führt auch zu Platzersparnis.

Alukern Leiterplatte Schliffbild

Weitere Einsatzgebiete für diese Technologie sind u.a. Hochstrom-Anwendungen, Power-LEDs, SMD- und Power-Leiterplatten. Die hohe Wärmeleitfähigkeit erlaubt eine schnelle und effektive Ableitung anfallender Wärme.

Verfügbare Typen

Bei Multi-CB können Sie einseitige und zweiseitig-durchkontaktierte Alukern-Leiterplatten beziehen (Lagenaufbau). Die Wärmeleitfähigkeit beträgt je nach Ausführung 1.3 – 2.2 W/m*K! (FR4 hat ca. 0.3 W/m*K).


Technische Optionen - Metallkern-Leiterplatten

1 Lage Metallkern

Option   Hinweise
OptionMaterial Aluminium Kern, FR4 AuflageHinweiseDatenblätter
OptionMax. Größe 420mm x 570mm Hinweise 
OptionAluminium Dicke 0.8mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mmHinweise 
OptionStart-Kupfer 35µm, 70µm, 140µm (nur 2.0mm)Hinweise 
OptionOberfläche HAL bleifrei, chem. Gold, chem. Zinn HinweiseOberflächen
OptionRoHS-Konform ja Hinweise 

Design Parameter

Option 35µm Cu 70µm Cu
OptionMin. Leiterbahnbreite35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin Leiterbahnabstand35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin. Restring35µm Cu125µm70µm Cu200µm
OptionMin. Bohrung (NDK)35µm Cu0.7mm70µm Cu0.7mm
OptionMin. Abstand zw. Bohrungen35µm Cu250µm70µm Cu250µm

Material - 1 Lage Metallkern

Technische Eigenschaften Einheit KL HA50 (type2) TC-Lam 1.3 KL (type3) Testmethode
Technische EigenschaftenDatenblattEinheit-KL HA50 (type2)KL HA50TC-Lam 1.3TC-Lam 1.3KL (type3)KL HA50Testmethode-
Technische EigenschaftenAnwendungsgebietEinheit-KL HA50 (type2)StandardTC-Lam 1.3StandardKL (type3)ExtendedTestmethode-
Technische EigenschaftenWärmeleitfähigkeitsfaktorEinheitW / m*kKL HA50 (type2)1.6TC-Lam 1.31.3KL (type3)2.2TestmethodeASTM-D 5470
Technische EigenschaftenDielektrizitätskonstante εrEinheit(bei 1 MHz)KL HA50 (type2)5.3TC-Lam 1.3-KL (type3)5.5TestmethodeIEC-61189
Technische EigenschaftenOberflächenwiderstandEinheitKL HA50 (type2)1.0 * 10^6TC-Lam 1.31.0 * 10^7KL (type3)1.0 * 10^6TestmethodeIEC-61189
Technische EigenschaftenWärmebeständigkeitEinheitK / WKL HA50 (type2)-TC-Lam 1.30.77KL (type3)-TestmethodeASTM-E 1225
Technische EigenschaftenGlasübergang Dielektrikum (Tg)Einheit°CKL HA50 (type2)122TC-Lam 1.3100KL (type3)122TestmethodeIPC-TM150
Technische EigenschaftenDielektrischer Durchschlag (AC)*EinheitkVKL HA50 (type2)4.0 - 6.0TC-Lam 1.35.0KL (type3)4.0 - 6.0TestmethodeIPC-TM-650
Technische EigenschaftenCTIEinheitVKL HA50 (type2)600TC-Lam 1.3600KL (type3)600TestmethodeUL746A

* Abhängig von Dielektrikumsdicke, im Beispiel 100µm

2 Lagen Metallkern (Durchkontaktiert)

Option   Hinweise
OptionMaterial Aluminium Kern, FR4 AuflagenHinweiseDatenblätter
OptionMax. Größe 800mm x 800mm Hinweise 
OptionAluminium Dicke 0.8mm, 1.0mm, 1.5mmHinweiseLagernd
Option  1.2mm, 2.0mmHinweiseAuf Anfrage
OptionStart-Kupfer 18µm, 35µm, 70µmHinweise 
OptionOberfläche HAL bleifrei, chem. Gold, chem. Zinn HinweiseOberflächen
OptionRoHS-Konform ja Hinweise 

Design Parameter

Option 35µm Cu 70µm Cu
OptionMin. Leiterbahnbreite35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin Leiterbahnabstand35µm Cu150µm70µm Cu200µm
OptionMin. Restring35µm Cu125µm70µm Cu200µm
OptionMin. Bohrung (NDK)35µm Cu0.7mm70µm Cu0.7mm
OptionMin. Via(DK)35µm Cu0.3mm70µm Cu0.3mm
OptionMin. Abstand zw. Bohrungen35µm Cu250µm70µm Cu250µm
OptionMin. Abstand zw. Vias (DK)35µm Cu300µm70µm Cu300µm
OptionAspekt Ratio35µm Cu10:170µm Cu10:1

Material - 2 Lagen Metallkern (Durchkontaktiert)

Technische Eigenschaften Einheit CCAF-04 CCAF-05 Testmethode
Technische EigenschaftenDatenblattEinheit-CCAF-04CCAF-04CCAF-05CCAF-05Testmethode-
Technische EigenschaftenAnwendungsgebietEinheit-CCAF-04StandardCCAF-05ExtendedTestmethode-
Technische EigenschaftenWärmeleitfähigkeitsfaktorEinheitW / m*kCCAF-041.5CCAF-052.2TestmethodeASTM-D 5470
Technische EigenschaftenDielektrizitätskonstante εrEinheit(bei 1 MHz)CCAF-044.2CCAF-054.24TestmethodeIEC-61189
Technische EigenschaftenOberflächenwiderstandEinheitCCAF-045.0 * 10^7CCAF-053.68 * 10^7TestmethodeIEC-61189
Technische EigenschaftenWärmebeständigkeitEinheitK / WCCAF-040.65CCAF-050.45TestmethodeASTM-E 1225
Technische EigenschaftenGlasübergang Dielektrikum (Tg)Einheit°CCCAF-04-CCAF-05-TestmethodeIPC-TM150
Technische EigenschaftenDielektrischer Durchschlag (AC)*EinheitkVCCAF-044.0CCAF-056.0TestmethodeIPC-TM-650
Technische EigenschaftenCTIEinheitVCCAF-04600CCAF-05600TestmethodeUL746A

* Abhängig von Dielektrikumsdicke, im Beispiel 100µm


Übersicht: Technische Optionen für Spezial-Leiterplatten.

Für eine optimale Vorbereitung empfehlen wir Ihnen eine frühzeitige Kontaktaufnahme mit unseren CAM-Station Ingenieuren. Wir beraten Sie sehr gerne bei Ihrer Entwicklung.